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TSM110NB04LDCR-RLG

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Pour Référence Seulement

Référence TSM110NB04LDCR-RLG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 12 705 piece(s)
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Spécifications TSM110NB04LDCR-RLG

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C10A (Ta), 48A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs11mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1269pF @ 20V
Puissance - Max2W (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur8-PDFN (5x6)

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Packing
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TSM110NB04LDCR-RLG FAQ

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